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SMD obstruye el inductor de gran intensidad MHA252012NSGR22M para los dispositivos con pilas

Detalles del producto

Lugar de origen: Guangdong, Shenzhen

Nombre de la marca: Shareway

Certificación: RoHS,ISO9001-2001

Número de modelo: MHA252012NSGR22M

Pago y términos de envío

Cantidad de orden mínima: 500/1000

Precio: Supportive

Detalles de empaquetado: Carrete/bandeja

Tiempo de entrega: Acción o 3 semanas

Condiciones de pago: TT, paypal, Unión Occidental

Capacidad de la fuente: 1kk-pcs/month

Consiga el mejor precio
Punto culminante:

inductores del microprocesador de la herida del alambre

,

inductor del convertidor de la C.C. de la C.C.

Nombre del producto:
Obstrucciones de gran intensidad de MHA252012NSGR22M SMD para los dispositivos con pilas
Obstrucciones:
Obstrucciones de SMD
Función:
De gran intensidad
Aplicación:
Dispositivos con pilas
OEM:
Con el OEM
Tipo:
Wirewound
Nombre del producto:
Obstrucciones de gran intensidad de MHA252012NSGR22M SMD para los dispositivos con pilas
Obstrucciones:
Obstrucciones de SMD
Función:
De gran intensidad
Aplicación:
Dispositivos con pilas
OEM:
Con el OEM
Tipo:
Wirewound
SMD obstruye el inductor de gran intensidad MHA252012NSGR22M para los dispositivos con pilas

Obstrucciones de gran intensidad de MHA252012NSGR22M SMD para los dispositivos con pilas


Características:

  • Tamaño: 2.5x2.0x1.2m m
  • SMD/SMT
  • Inductancia: 0.22uH~2.2uH
  • Construcción magnética del escudo
  • Ruido ultrabajo del zumbido debido a la construcción compuesta
  • Puntos de la corriente transitoria de la manija sin la saturación

 

 

Número de parte Inductancia (el uH±20%) TIPO del DCR (mΩ) @25℃ DCR (mΩ) @25℃ máximo Irms (A) Isat (A)
MHA252012NSGR22M 0,22 8,4 10,5 6,6 6,5
MHA252012NSGR24M 0,24 11 13 5,7 6,0
MHA252012NSGR33M 0,33 14 17 5,0 5,5
MHA252012NSGR47M 0,47 21 26 4,0 4,55
MHA252012NSGR68M 0,68 28 34 3,42 3,7
MHA252012NSG1R0M 1,0 40 48 2,7 3,5
MHA252012NSG1R5M 1,5 57 69 2,43 2,8
MHA252012NSG2R2M 2,2 79 95 2,0 2,3