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3.3uH 0.68A protegió el soporte 100kHz NRV2010T3R3MGF de la superficie del inductor del poder de SMD

Detalles del producto

Lugar de origen: Guangdong, Shenzhen

Nombre de la marca: Shareway

Certificación: RoHS,ISO9001-2001

Número de modelo: NRV2010T3R3MGF

Pago y términos de envío

Cantidad de orden mínima: 500/1000

Precio: Supportive

Detalles de empaquetado: Carrete/bandeja

Tiempo de entrega: Acción o 3 semanas

Condiciones de pago: TT, paypal, Unión Occidental

Capacidad de la fuente: 1kk-pcs/month

Consiga el mejor precio
Punto culminante:

inductores del microprocesador de la herida del alambre

,

inductores de gran intensidad del poder

Nombre del producto:
3,3 uH 0.68A protegieron el inductor superficial NRV2010T3R3MGF del poder del soporte
Monte:
Montaje en superficie
Inductancia:
3.3uH
Blindado:
Blindado
inductor:
Inductor de potencia
Función:
Durable
Nombre del producto:
3,3 uH 0.68A protegieron el inductor superficial NRV2010T3R3MGF del poder del soporte
Monte:
Montaje en superficie
Inductancia:
3.3uH
Blindado:
Blindado
inductor:
Inductor de potencia
Función:
Durable
3.3uH 0.68A protegió el soporte 100kHz NRV2010T3R3MGF de la superficie del inductor del poder de SMD

3.3uH 0.68A protegió el inductor superficial NRV2010T3R3MGF del poder del soporte


Descripción:

Inductancia 3,3 uH ± 20%
Tamaño del caso (milímetro) 2.0x2.0
Corriente clasificada (máxima) 0,88 A
Corriente de saturación (máxima) 0,88 A (el ⊿L=30%)
Corriente de saturación (tipo) 0,95 A (el ⊿L=30%)
Corriente de la subida de la temperatura (máxima) 1 A (⊿T=40℃)
Corriente de la subida de la temperatura (tipo) 1,1 A (⊿T=40℃)
Resistencia de DC (máxima) 0,3 Ω
Resistencia de DC (tipo) 0,25 Ω
Frecuencia de medición del LQ 100 kilociclos
Temporeros de funcionamiento. Gama ℃ -25 a +120
(calor Incluyendo-uno mismo-generado)

Característica de la temperatura

(Cambio de la inductancia)

± 20%
Conformidad de RoHS (subst 10.)
Conformidad del ALCANCE (subst 201.)
El halógeno libera
El soldar Flujo

 


Dimensiones:

3.3uH 0.68A protegió el soporte 100kHz NRV2010T3R3MGF de la superficie del inductor del poder de SMD 0